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[发明专利]大直径硅单晶及其制造方法-CN202310265147.2在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：新美光（苏州）半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种大直径硅单晶及其制造方法。大直径硅单晶的制造方法依次包括硅料熔融工艺、引晶工艺、等径工艺和收尾工艺，在硅料熔融工艺与引晶工艺之间还设有浸泡工艺，浸泡工艺中的加热功率为引晶工艺中的加热功率的105%~130%。经过试验验证，应用本发明技术方案的大直径硅单晶的制造方法，能够有效去除在坩埚的内壁上形成的气泡，避免残留的气泡流入生长的单晶中，从而有效降低针孔发生率，改善大直径硅单晶的质量，有利于应用。此外，本发明还涉及一种采用上述大直径硅单晶的制造方法制造得到的大直径硅单晶。
直径硅单晶及其制造方法

[发明专利]一种优化型大直径区熔硅单晶收尾方法-CN201811565908.1有效
发明人：刘琨;刘凯;王遵义;郝大维;涂颂昊;孙健;王彦君 -专利权人：天津中环领先材料技术有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： C30B13/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种优化型大直径区熔硅单晶收尾方法，包括：S1、根据单晶规格，多晶料剩余长度到达设定阈值时，打开收尾程序；S2、当单晶直径收细到201mm后，更改单晶下速和多晶上速、以及功率，单晶直径逐渐从201mm收细至198mm，单晶熔体与多晶硅熔体液面逐渐脱离；S3、单晶熔体与多晶硅熔体液面脱离后，功率设定值保持不变，对单晶下速和多晶上速进行调节；S4、到达设定时间后，进行降温，单晶下速和多晶上速与步骤S3中的速度相同，降温时间到达设定值后，关闭系统，拆取单晶。本发明所述的优化型大直径区熔硅单晶收尾方法实现大直径区熔单晶收尾的高效稳定操作，减少质量损失，是大直径区熔硅单晶规模生产技术领域需要改进的问题。
一种优化直径区熔硅单晶收尾方法

[发明专利]一种控制大直径单晶硅棒直径的加热器、拉晶炉和方法-CN202210697737.8在审
发明人：陶莹 -专利权人：陶莹;北京麦竹吉科技有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种控制大直径单晶硅棒直径的加热器、拉晶炉和方法，涉及单晶硅晶体生长领域，加热器为倒锥台形且上下均敞口的筒状。拉晶炉包括所述的控制大直径单晶硅棒直径的加热器。控制大直径单晶硅棒直径的方法，采用所述的控制大直径单晶硅棒直径的拉晶炉实现。有益效果是：加热器可以尽可能的靠近三相点，加热器升高功率与降低功率所增加和减少的热量，能快速反应在直径变化上。便于从单晶炉的正前方人工观察单晶硅棒的情况，便于拉晶炉内斜上方的感应器或监控相机监测硅棒状态，不遮挡视线或监测设备。
一种控制直径单晶硅加热器拉晶炉方法

[发明专利]一种单晶炉热场升级的装置及方法-CN202210408510.7在审
发明人：王燕飞;王军磊;王艺澄 -专利权人：包头美科硅能源有限公司;江苏美科太阳能科技股份有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶炉热场升级的装置，包括同轴的炉盖（1）、大直径主炉室（2）、大直径下炉体（3）和炉底盘（4），炉盖（1）和大直径主炉室（2）之间连有过渡法兰（5），大直径下炉体（3）和炉底盘（4）之间连有法兰缩颈（6）；过渡法兰（5）的内径与炉盖（1）的内腔直径相同、其外径与大直径主炉室（2）的外径相同，大直径主炉室（2）内径大于炉盖（1）的内腔直径；法兰缩颈（6）的外径与大直径下炉体（3）的外径相同、其内径小于炉底盘（4）的外径，炉底盘（4）的外径小于大直径下炉体（3）内腔直径。本发明的优点是满足36吋或更大的热场安装和生产需求，提高单晶炉日单产量和单晶硅品质，降低设备投资成本。
一种单晶炉热场升级装置方法

[实用新型]一种单晶炉热场升级的装置-CN202220900902.0有效
发明人：王燕飞;王军磊;王艺澄 -专利权人：包头美科硅能源有限公司;江苏美科太阳能科技股份有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉热场升级的装置，包括同轴的炉盖（1）、大直径主炉室（2）、大直径下炉体（3）和炉底盘（4），炉盖（1）和大直径主炉室（2）之间连有过渡法兰（5），大直径下炉体（3）和炉底盘（4）之间连有法兰缩颈（6）；过渡法兰（5）的内径与炉盖（1）的内腔直径相同、其外径与大直径主炉室（2）的外径相同，大直径主炉室（2）内径大于炉盖（1）的内腔直径；法兰缩颈（6）的外径与大直径下炉体（3）的外径相同、其内径小于炉底盘（4）的外径，炉底盘（4）的外径小于大直径下炉体（3）内腔直径。本实用新型的优点是满足36吋或更大的热场安装和生产需求，提高单晶炉日单产量和单晶硅品质，降低设备投资成本。
一种单晶炉热场升级装置

[发明专利]制造用于从其上切割半导体晶片的单晶块的方法-CN200480014337.2无效
发明人：松井康之;大槻诚 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2004-07-15 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的制造单晶半导体块方法的特征在于，从较大直径的单晶半导体块(1a)中切割出用户所需的多个较小直径的单晶半导体块(2a)。这种方法的第二个优点在于，即使大直径单晶半导体块包含缺陷部分时，仍能够从缺陷区域之外的其它部分切割出一些小直径单晶半导体块使用。
制造用于切割半导体晶片单晶块方法

[发明专利]用于单晶硅生长的非Dash缩颈法-CN98807993.3无效
发明人：金孔民;萨达斯瓦姆·钱德拉塞卡 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 1998-08-03 - 公布日： 2000-09-20 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：制造单晶硅棒的非Dash缩颈法,该单晶硅棒按照直拉法拉晶。该方法其特征在于在硅棒生长开始之前,让一大直径、无位错的籽晶进行热平衡,以避免形成由对单晶热冲击而产生的位错。该方法生产出一种单晶硅棒,此种单晶硅棒具有大直径的短缩颈,该大直径的短缩颈是无位错的,并能在生长和随后的处理期间,支承至少重约100kg的硅棒。
用于单晶硅生长 dash 缩颈

[发明专利]一种加热器、拉晶炉和消除大直径单晶硅自我间隙缺陷的方法-CN202210876599.X在审
发明人：陶莹 -专利权人：北京麦竹吉科技有限公司;陶莹
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种加热器、拉晶炉和消除大直径单晶硅自我间隙缺陷的方法，涉及单晶硅晶体生长领域，加热本体为圆筒形，拉晶炉的导流筒架设于坩埚上方，加热本体安装于导流筒内侧。消除大直径单晶硅自我间隙缺陷的方法，采用所述的拉晶炉实现，单晶硅棒拉出液面后，利用所述加热本体对单晶硅棒进行加热并使单晶硅棒保持在950℃以上，保持时间为至少15小时。有益效果是：加热器保证硅棒在一定时间里保持拉出的晶体在950℃以上，利用加热本体对拉出液面的硅棒进行保温，让自我间隙的硅原子有足够的时间向单晶硅棒外表面这个自由界面扩散，从而在大直径硅棒中消除这种微观点缺陷
一种加热器拉晶炉消除直径单晶硅自我间隙缺陷方法

[发明专利]一种大尺寸单晶取段收尾结构及其控制方法-CN201910702179.8有效
发明人：郭谦;张文霞;高润飞;王林;徐强;霍志强;韩凯;武志军;郭志荣;张石晶 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种大尺寸单晶取段收尾结构，包括上段部和与上段部一体连接的下段部，上段部高度大于下段部高度，上段部最大直径与晶体等径段直径相同；下段部最大直径大于上段部最小直径且小于上段部最大直径；下段部中最大高度位于两侧最小高度之间本发明提出的取段收尾结构为一种新型的收尾结构，尤其适用于大尺寸单晶晶体的收尾，解决了现有技术中收尾控制生产效率低的技术问题，适普性高且可控。本发明还提供一种大尺寸单晶取段收尾结构的控制方法，可以在1‑1.5h内对于直径为240‑310mm单晶进行取段收尾，获得收尾但不收尖式的收尾结构，不仅缩短工时且还消除位错产生，保证单晶品质，提高生产效率
一种尺寸单晶取段收尾结构及其控制方法

[实用新型]一种用于大直径单晶硅切割定位的治具-CN202022159380.7有效
发明人：刘亮;穆光裕 -专利权人：辽宁中电科半导体材料有限公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： B28D7/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于大直径单晶硅切割定位的治具，包括底座，所述底座的表面开设有弧形槽，所述弧形槽的内壁两侧均开设有凹槽，所述凹槽的内壁固定装配有传送带，所述传送带的表面与弧形槽的内壁处于同一平面，所述底座的表面两侧均开设有盲孔通过弧形槽和传送带的配合，需要对单晶硅移动时，传送带带动大直径的单晶硅进行移动，移动过后，在弧形槽的作用下单晶硅还是位于底座上中间的位置，再次对单晶硅进行固定，便于快速的定位，方便进行切割，在弹簧的作用下顶杆贴合到单晶硅的外壁上，通过多个顶杆的限位能够对不同尺寸的单晶硅进行固定，灵活性能强，适用范围广泛，方便对大直径的单晶硅进行切割，省时省力。
一种用于直径单晶硅切割定位

[发明专利]提高400mm以上大直径单晶硅拉晶稳定性的方法-CN201410148669.5无效
发明人：李进;高忙忙;薛子文;李海波;李国龙;梁森;张洪岩;何力军 -专利权人：宁夏大学
申请日： 2014-04-15 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：一种提高400mm以上大直径单晶硅拉晶稳定性的方法，该方法应用于直拉法制造单晶硅的生产工艺中，该提高400mm以上大直径单晶硅拉晶稳定性的方法包括如下步骤：将直拉法制造单晶硅的生产工艺中的石英坩埚的尺寸设置为≥800mm；在采用直拉法制造单晶硅的等径生长步骤中，在等径初期控制液口距的范围值为15～20mm。
提高 400 mm 以上直径单晶硅稳定性方法

[实用新型]一种大直径硅单晶降温冷却及运输设备-CN202120280620.0有效
发明人：刘凯;王遵义;刘琨;涂颂昊;孙健;谭永麟;孙晨光;王彦君 -专利权人：中环领先半导体材料有限公司;天津中环领先材料技术有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种大直径硅单晶降温冷却及运输设备，包括运输车及风冷组件；运输车包括车身、支撑车身的支撑脚及设于支撑脚底部的脚轮，车身上设有多个作为入风口的通孔，车身的上端面设有用于承载单晶的多个承载槽本实用新型所述的大直径硅单晶降温冷却及运输设备具有结构简单，可在单晶周转传送过程中实现单晶较快降温且避免单晶开裂的优点。
一种直径硅单晶降温冷却运输设备

[实用新型]一种降低单晶硅棒裂纹位错的收尾结构-CN202223119420.0有效
发明人：韩凯;马伟;康晓斌;谷守伟;武志军;马勇;刘佳 -专利权人：宁夏中环光伏材料有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种降低单晶硅棒裂纹位错的收尾结构，包括一体成型的第一段和第二段，所述第一段最大直径与单晶等径段直径相同，所述第二段最大直径与所述第一段最小直径相同，所述第二段表面沿所述单晶收尾长度设有成对设置的棱线本实用新型的有益效果是有效的减少了单晶的断棱，缩短了收尾时间，对单晶的位错和裂纹进行有效的控制，提高了单晶产品的合格率。
一种降低单晶硅裂纹收尾结构

[发明专利]大直径高效N型单晶硅的制备装置-CN201910637011.3在审
发明人：陈嘉豪;徐文州;陈磊;樊茂德 -专利权人：乐山新天源太阳能科技有限公司
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够实现二次硅料添加，保证足够硅料制备较大直径单晶硅的大直径高效N型单晶硅的制备装置。该大直径高效N型单晶硅的制备装置，包括炉体；所述炉体上方设置有上炉腔；所述炉体的炉膛内设置有坩埚、石墨托、底部旋转支撑杆；所述炉体的顶部设置有二次加料装置；所述二次加料装置包括硅料存储筒、硅料加热熔融装置采用该大直径高效N型单晶硅的制备装置，能够降低生产设备的成本，降低能耗，提高生产效率。
炉体制备装置硅料加热坩埚二次加料装置加热熔融装置出料口导料管筒体坩埚炉膛大直径单晶硅底部加热装置旋转支撑杆顶部设置加热装置降低生产生产效率存储筒上炉腔石墨托次硅熔融制备连通体内穿过延伸保证

[实用新型]大直径高效N型单晶硅的单晶炉-CN201921105646.0有效
发明人：陈嘉豪;徐文州;樊茂德;喻先丽 -专利权人：乐山新天源太阳能科技有限公司
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种能够降低通入氩气对炉体内热场造成影响，能够保证氩气气流稳定的大直径高效N型单晶硅的单晶炉。该大直径高效N型单晶硅的单晶炉，包括炉体、上炉腔；所述炉体的炉膛内设置有坩埚、石墨托、底部旋转支撑杆；所述坩埚外侧设置有加热装置以及保温罩；所述保温罩上方设置有环形布气筒；环形布气筒与保温罩顶部以及炉体内壁之间形成惰性气体进入腔采用该大直径高效N型单晶硅的单晶炉能够便于控制含氧量，同时能够保证单晶硅的品质。
直径高效单晶硅单晶炉

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